特許
J-GLOBAL ID：200903061109426193
多値記憶素子、メモリアレイ、記憶および再現方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-122448
公開番号（公開出願番号）：特開平8-315585
出願日： 1995年05月22日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 高速書込みおよび読取りが可能で、かつ、簡易で信頼性の高い多値記憶素子、メモリアレイなどを提供することを目的とする。【構成】 メモリセル22は、トランジスタTR1〜TR3を並列に接続して構成する。第1コンデンサCA1〜CA3の面積はすべて同一である。第2コンデンサCB1〜CB3の面積はこの順に大きい。書込み時、ゲート端子TGにゲート電圧を印加すると、第1コンデンサCA1〜CA3にこの順に大きい電圧が発生する。大きい電圧が生じたトランジスタが”1”状態となる。ゲート電圧を変えることにより、”1”状態のトランジスタの個数が増減する。”1”状態のトランジスタの個数と多値数とが対応する。メモリセル22の内容を読取る場合、ドレイン端子TDに流れる出力電流を読取る。出力電流とメモリセル22の記憶内容との関係をあらかじめ求めておけば、記憶内容を知ることができる。
請求項（抜粋）：
複数の2値記憶素子を備えた多値記憶素子であって、書込み時に、多値記憶素子に印加される電圧の大きさまたは印加時間に対応して、2値状態の変化を起こす2値記憶素子の数を決定するよう構成するとともに、読取り時に、2値状態の変化を起こした2値記憶素子の数に応じた出力をなすよう構成したこと、を特徴とする多値記憶素子。
引用特許：
前のページに戻る
