特許
J-GLOBAL ID:200903061157579724

露光装置及び露光方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-371058
公開番号(公開出願番号):特開2001-189252
出願日: 1999年12月27日
公開日(公表日): 2001年07月10日
要約:
【要約】【課題】 CVD工程、熱処理工程などによりウェハに生じる伸縮に対して投影倍率が補正できる露光方法を提供する。【解決手段】 ビームを照射することによって半導体ウェハにアライメントマークを形成する前に、前記半導体ウェハの伸縮率を算出し、算出された前記半導体ウェハの伸縮率に基づいてレチクルに形成されているパターンの投影倍率を補正することにより前記パターンを縮小投影する。
請求項(抜粋):
パターンが形成されているレチクルにビームを照射する照射源と、前記パターンを通過したビームによって該パターンを半導体ウェハに縮小投影する縮小投影手段とを備えた露光装置において、前記照射源から前記ビームを照射することによって前記半導体ウェハにアライメントマークを形成する前に、前記半導体ウェハの伸縮率を算出する算出手段と、算出された前記半導体ウェハの伸縮率に基づいて前記縮小投影手段により縮小投影される前記パターンの投影倍率を補正する補正部とを備えることを特徴とする露光装置。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/23
FI (3件):
G03F 7/23 H ,  H01L 21/30 516 A ,  H01L 21/30 514 C
Fターム (8件):
5F046BA03 ,  5F046DA13 ,  5F046DD06 ,  5F046ED01 ,  5F046FA10 ,  5F046FC04 ,  5F046FC06 ,  5F046FC10
引用特許:
審査官引用 (15件)
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