特許

J-GLOBAL ID：200903061158685439

半導体装置及びその製造方法

発明者： 瀧澤 照夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-294329
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111041
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 長時間連続使用でき、かつ、外部電源を不要とする半導体装置を実現する。【解決手段】 入力光に応じた電力を出力する受光素子と、前記受光素子から出力される電力によって動作する半導体素子とを半導体装置に設ける。受光素子から半導体装置に電力を供給することにより、長時間連続使用でき、かつ、電池交換も不要になる。また、受光素子と半導体素子とを、半導体基板中に設けられた埋め込み絶縁膜に対して互いに異なる主面に形成することにより、両素子は正常に動作することができる。さらに、半導体素子を完全空乏型とすることにより、太陽電池の起電力でも高速動作する半導体装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁層と、前記絶縁層の第1の主面の上方に形成された受光素子と、前記絶縁層の第2の主面の上方に形成された半導体素子とを含む半導体装置であって、前記受光素子によって得られた電力を前記半導体素子に供給することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/108

FI (6件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/04 U ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 31/04 Q ,  H01L 31/10 C

Fターム (24件)：

5F038AZ07 ,  5F038CA12 ,  5F038DF08 ,  5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MA05 ,  5F049MB03 ,  5F049NA20 ,  5F049NB10 ,  5F049QA20 ,  5F049SS02 ,  5F049UA20 ,  5F051AA05 ,  5F051BA05 ,  5F051GA04 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN71

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-204871   出願人：三洋電機株式会社
• 固体撮像装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-101758   出願人：オリンパス光学工業株式会社