特許

J-GLOBAL ID：200903061175231964

半導体装置

発明者： 大見 忠弘
出願人/特許権者： 大見 忠弘
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146330
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315608
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高い電流駆動能力を備え、回路の高速動作を実現する半導体装置を提供すること。【構成】 基体上に一導電型の第1の半導体領域を有し、この領域内に設けられた反対導電型のソース104およびドレイン105領域を有し、前記ソース、ドレイン領域を隔てる領域の基体上に第1の絶縁膜102を有し、前記第1の絶縁膜上に導電体からなるゲート電極103を有する半導体装置において、前記第1の絶縁膜が、比誘電率8以上の絶縁体により構成されており、その膜厚t<SB>I</SB>が下記の式(1)を満足し、かつ前記ソース、ドレイン領域が前記ゲート電極に対して自己整合的に形成されていることを特徴とする半導体装置。t<SB>I</SB><3×(ε<SB>r</SB>/ε<SB>SiO2</SB>)(nm) 式(1)ε<SB>r</SB>:前記第1の絶縁膜の比誘電率、ε<SB>SiO2</SB>:シリコン酸化膜の比誘電率

請求項（抜粋）：

基体上に一導電型の第1の半導体領域を有し、この領域内に設けられた反対導電型のソースおよびドレイン領域を有し、前記ソース、ドレイン領域を隔てる領域の基体上に第1の絶縁膜を有し、前記第1の絶縁膜上に導電体からなるゲート電極を有する半導体装置において、前記第1の絶縁膜が、比誘電率8以上の絶縁体により構成されており、その膜厚t<SB>I</SB>が下記の式(1)を満足し、かつ前記ソース、ドレイン領域が前記ゲート電極に対して自己整合的に形成されていることを特徴とする半導体装置。記t<SB>I</SB><3×(ε<SB>r</SB>/ε<SB>SiO2</SB>)(nm) 式(1)ただし、ε<SB>r</SB>:前記第1の絶縁膜の比誘電率ε<SB>SiO2</SB>:シリコン酸化膜の比誘電率

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-266764
  
• 特開昭62-134973
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-232916   出願人：株式会社東芝