特許
J-GLOBAL ID:200903061186913307

半導体素子駆動用集積回路及び電力変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-035931
公開番号(公開出願番号):特開2004-265931
出願日: 2003年02月14日
公開日(公表日): 2004年09月24日
要約:
【課題】高出力(大電流)化,高電圧化及び低損失化などの要求に応えることができると共に、小型で低コストで信頼性の高い半導体素子駆動用集積回路及びそれを搭載した電力変換装置の提供を課題とする。【解決手段】課題を解決するために、上アーム駆動回路212の駆動部、電流検知回路210を含むレベルシフト回路20、下アーム駆動回路222の駆動部及び駆動信号処理回路224を構成する回路素子を集積して1つの高耐圧ICチップ200に組み込み、上アーム駆動回路212の最終出力段バッファ部213を構成する回路素子を縦型構造のpチャネルのMOS-FETチップ213pと、縦型構造のnチャネルのMOS-FETチップ213nに組み込み、下アーム駆動回路222の最終出力段バッファ部223を構成する回路素子を縦型構造のpチャネルのMOS-FETチップ223pと、縦型構造のnチャネルのMOS-FETチップ223nに組み込みドライバIC2を構成した。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
複数の回路素子が集積され、半導体素子を駆動するものであって、少なくとも前記半導体素子に駆動電力を供給する回路素子が、他の回路素子が組み込まれた半導体チップとは別の半導体チップに組み込まれて回路が構成されていることを特徴とする半導体素子駆動用集積回路。
IPC (2件):
H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (1件):
H01L25/04 C
Fターム (9件):
5H007AA06 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB12 ,  5H007CB17 ,  5H007CC07 ,  5H007DB03 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04
引用特許:
審査官引用 (6件)
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