特許

J-GLOBAL ID：200903061191361215

半導体装置の金属配線およびその形成方法

発明者： ヨン・ゴン・ゾン
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-353934
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306908
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路の配線に関するもので、特に伝導線と接続ホールを自己整合的に形成して、配線の抵抗と信頼性を改善した、半導体装置の金属配線およびその形成方法を提供する。【解決手段】 絶縁層に埋設され、下層金属配線または、不純物拡散領域に接続される接続プラグと、絶縁層に埋設され接続プラグに連結されて、その上側に形成された第1パターン層とからなり、その第1パターン層に島状に、第2パターン層が形成されている。

請求項（抜粋）：

下層金属配線または、不純物拡散領域上に形成される絶縁層と、上記絶縁層に埋設され、下層金属配線または、不純物拡散領域に接続される接続プラグと、上記絶縁層に埋設され、接続プラグに連結されて、プラグの上側に形成される第1パターン層と、を有し、上記第1パターン層には孤立した島の形態の第2パターン層を少なくとも一つ形成されていることを特徴とする半導体装置の金属配線。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-346899   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-088351