薄膜トランジスタの製造方法及び液晶ディスプレイ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199980
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074201
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】優れた特性の多結晶シリコン膜を備えた半導体装置のスループットを向上させること。【解決手段】ガラス基板1上に非晶質シリコン膜を形成し、この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜2を形成し、この多結晶シリコン膜2の上に、ゲート絶縁膜3を介してゲート電極を形成し、前記多結晶シリコン膜2に、ソース/ドレインとなる不純物領域6を形成し、前記不純物領域6をRTA法を用いて急速加熱することにより活性化する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された能動層の結晶化ための熱処理の温度を、前記基板が変形しない程度の温度に設定し、この熱処理に用いた方法とは異なる熱処理方法で不純物の活性化を行うことを特徴とした薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/26 , H01L 21/268 , H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 21/268 Z , H01L 27/12 R , H01L 21/26 L

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-043672 出願人：株式会社高度映像技術研究所
特開昭62-104117
特開昭63-029924

全件表示

前のページに戻る