単結晶の製造方法および製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：広瀬章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-128019
公開番号（公開出願番号）：特開2008-280225
出願日： 2007年05月14日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：

【課題】坩堝に収容された、単結晶原料が溶解している融液に、種結晶基板を接触させ、基板上に単結晶を成長させる液相エピタキシー法によるバルク単結晶の成長における欠陥発生を、オフ角を利用せずに抑制する方法を提供する。【解決手段】単結晶が成長面[例、(0001)面]に対して鏡映対称性を有していない結晶構造を持つ、SiCやAlN等のIV族またはIII-V族化合物半導体である場合に、基板保持具4と坩堝6に電源3から通電して、単結晶の成長面と基板2の単結晶成長面とは反対側の面との間にパルス電圧を印加しながら単結晶を成長させる。坩堝6と結晶保持具4は導電性の材質とし、結晶保持具4の先端部の周囲には、この保持具4と融液1との電気的接触を防止するための絶縁材5を配置する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

坩堝に収容された単結晶原料が溶解している融液に単結晶成長用の種結晶基板を接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺において前記融液中の単結晶原料の濃度を過飽和とすることによって前記基板上に結晶を成長させる単結晶の製造方法であって、単結晶が、成長面に対して鏡映対称性を有していない結晶構造を持ち、単結晶の成長面と基板の単結晶成長面とは反対側の面との間に電圧を印加しながら結晶を成長させる、ことを特徴とする、単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 19/10 , C30B 29/36 , C30B 30/02

FI (3件)：

C30B19/10 , C30B29/36 A , C30B30/02

Fターム (17件)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077CG05 , 4G077EA05 , 4G077EA06 , 4G077EG05 , 4G077EG25 , 4G077EJ01 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077QA04 , 4G077QA11 , 4G077QA52 , 4G077QA54 , 4G077RA01

引用特許：

出願人引用 (6件)

米国特許第4912064号明細書
米国特許第5011549号明細書
米国特許第5248385号明細書

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審査官引用 (6件)

特開昭49-053766
特開昭60-065799
特開昭57-106594

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