特許

J-GLOBAL ID：200903052387715130

炭化珪素基板およびその製造方法

発明者： 中村 俊一 ,  木本 恒暢 ,  塩見 弘
出願人/特許権者： 株式会社シクスオン ,  関西電力株式会社 ,  住友電気工業株式会社 ,  三菱商事株式会社
代理人 (2件)： 上代 哲司 ,  神野 直美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-096678
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286038
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】電子デバイスの高性能化のために、炭化珪素{0001}面において、低オフ角面、理想的には、ほぼオフ無し面へのホモエピタキシャル成長を実現すること、並びに前記のホモエピタキシャル成長層における表面欠陥密度を低減すること。そして、ホモエピタキシャル成長層の表面を、可能な限り平坦にすること。【解決手段】炭化珪素の(000-1)C面を、機械加工する機械加工工程と、前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面層の0.1μm以上を、酸素原子含有物質または溶融アルカリを用いた化学反応によって除去する表面層除去工程とを有することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法、および前記製造方法により得られる炭化珪素基板。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素の(000-1)C面を、機械加工する機械加工工程と、 前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面層の0.1μm以上を、酸素原子含有物質または溶融アルカリを用いた化学反応によって除去する表面層除去工程と を有することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/20 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/205

FI (4件)：

H01L21/20 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 A ,  H01L21/205

Fターム (24件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE02 ,  4G077HA05 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK10 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AE29 ,  5F045BB12 ,  5F045HA04 ,  5F045HA06 ,  5F052KA05

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 米国特許第4912064号公報
  
• 米国特許第5011549号公報
  
• 米国特許第5242385号公報
  
• 米国特許第5915194号公報
  
• 米国特許第6165874号公報
  
• 半導体装置作成用炭化珪素基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-340310   出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (6件)

• 炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、酸化膜被覆基板、酸化膜被覆基板の製造方法および電子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-186523   出願人：日本碍子株式会社, 財団法人ファインセラミックスセンター
• 炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-278699   出願人：三洋電機株式会社
• 炭化珪素膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-322331   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体膜の成長方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-060210   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化物系III-V族化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-203850   出願人：シャープ株式会社
• 炭化けい素半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-160338   出願人：富士電機株式会社