特許
J-GLOBAL ID:200903061229913969

フィルムキャリアおよびそれを用いてなる半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高島 一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-165792
公開番号(公開出願番号):特開平9-017829
出願日: 1995年06月30日
公開日(公表日): 1997年01月17日
要約:
【要約】【構成】 本発明のフィルムキャリアFは、導電性回路4の両面に絶縁体層5a、5bが積層され、該積層体に、外部基板11との接続用の導通部7および半導体素子3との接続用の導通部9が形成され、半導体素子との接続用エネルギーの供給を意図する部位にて該導電性回路4が露出していることを特徴とするものである。また、本発明の半導体装置は、上記フィルムキャリアFに半導体素子を実装してなるものである。【効果】 半導体素子との接続用エネルギーが、絶縁体層によって減衰することなく効率的に利用されるため、半導体素子の実装を容易かつ効率的に行うことができる。
請求項(抜粋):
導電性回路の両面に絶縁体層が積層され、該積層体に、外部基板との接続用の導通部および半導体素子との接続用の導通部が形成され、半導体素子との接続用エネルギーの供給を意図する部位にて該導電性回路が露出していることを特徴とするフィルムキャリア。
IPC (2件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60
FI (3件):
H01L 21/60 311 W ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/60 311 S
引用特許:
審査官引用 (3件)

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