特許

J-GLOBAL ID：200903061266208531

アモルファスシリコン光電池装置とその製造方法

発明者： シュロップ,ルドルフ・エマニュエル・イジドーレ
出願人/特許権者： ユニフェルシテイト・ファン・ユトレヒト
代理人 (1件)： 奥山 尚男 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-503814
公開番号（公開出願番号）：特表2002-505039
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 2002年02月12日
要約：

【要約】本発明は薄膜半導体太陽電池の製造方法に関する。この薄膜半導体太陽電池は、キャリア物質上に積層されたp型層及びn型層を少なくとも備え、p型層の構成、特にそのp型層の光学的バンドギャップ及び/または導電率と、n型層の構成、特にn型層の光学的バンドギャップ及び/または導電率とが、それぞれの半導体層が形成される場所において所定ガスの配合及び/または流量を制御することにより、時間及び/または空間的に連続的に変化する。

請求項（抜粋）：

p型層と、キャリア物質の上に積層されたn型層とを少なくとも備え、 前記p型層の構成、特に該p型層の光学的バンドギャップ及び/または導電率と、前記n型層の構成、特に該n型層の光学的バンドギャップ及び/または導電率とが、それぞれの半導体層が形成される場所において所定のガスの配合及び/または流量を制御することにより、時間的及び/または空間的に連続的に変化するように構成されたことを特徴とする薄膜シリコン太陽電池の製造方法。

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

• pinアモルファスシリコン光電池に於ける広帯域ギャップn層を使用した短絡電流の強化
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-003641   出願人：ソラレックスコーポレーション
• 特開昭62-033479
  
• 特開昭63-244888
  
• 特開昭63-164479
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Bandgap-, dopant, and defect-graded dual-junction amorphous silicon solar cells"