特許
J-GLOBAL ID：200903061303113163
不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-147710
公開番号（公開出願番号）：特開平11-242893
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】書き込み時間を短縮できる不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法を提供する。【解決手段】ラッチ回路Q22,Q21を有し、ラッチデータがメモリセルのしきい値電圧を初期消去状態のしきい値電圧と最も離れた値にするデータ”00”の場合には対応するビット線を接地電圧に充電し、ラッチデータが他のしきい値電圧とするデータの場合には接地電圧より高い電圧VBに充電して書き込みを行う書込制御回路12を設ける。具体的には、4値の場合、データ“10”、“01”の書き込みとデータ“00”の書き込みを並列に進め、なおかつ、データ“00”を書込むセルのトンネル酸化膜にかかる電界を高くするように構成する。
請求項（抜粋）：
ワード線およびビット線への印加電圧に応じて電荷蓄積部に蓄積された電荷量がトンネル絶縁膜を介して変化し、その変化に応じてしきい値電圧が変化し、しきい値電圧に応じた値のデータを記憶するメモリセルを有し、多ビットデータをページ単位でメモリセルに書き込む不揮発性半導体記憶装置であって、書き込みデータが、書き込み対象のメモリセルのしきい値電圧が初期消去状態のしきい値電圧と最も離れた値とするデータの場合、当該メモリセルにかかる電界を他の書き込みデータより高く設定して書き込みを行う手段を有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (7件)：
G11C 16/02
, G11C 16/04
, G11C 16/06
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 611 G
, G11C 17/00 622 E
, G11C 17/00 634 F
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
