特許

J-GLOBAL ID：200903061341430610

半導体メモリ

発明者： 広中 克行 ,  網 隆明 ,  渡部 浩司 ,  町田 暁夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-138193
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330538
出願日： 1995年06月05日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 電極形成面と電極との密着性を改善した半導体メモリを提供する。【構成】 白金または白金合金による電極層8が形成される半導体メモリにおいて、白金または白金合金による電極層8下にパラジウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、ロジウム単体あるいはこれらのうち2種類以上を含む合金よりなる下地層21を被着形成する。

請求項（抜粋）：

白金または白金合金による電極層が形成される半導体メモリにおいて、上記白金または白金合金による電極層下に、パラジウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、ロジウム単体あるいはこれらのうち2種類以上を含む合金よりなる下地層を被着形成したことを特徴とする半導体メモリ。

IPC (8件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G11C 11/22 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  C23C 14/08

FI (6件)：

H01L 27/10 651 ,  G11C 11/22 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/10 451 ,  C23C 14/08 N ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 強誘電体コンデンサ及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-099773   出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション