特許

J-GLOBAL ID：200903061346638715

多層配線構造を有する半導体装置の製造方法

発明者： 平田 匡史
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-292300
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147279
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】 多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 下層配線1上に層間絶縁膜4としてBPSG膜2を形成してからSOG膜3を堆積し、このSOG膜3をエッチバックした後上層配線6を形成する多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、前記エッチバック工程の後に酸素プラズマでの処理工程と緩衝フッ酸液によるエッチング工程を付加したことにより、処理時間の短縮を図ることを可能にする。

請求項（抜粋）：

下層配線上に層間絶縁膜としてBPSG膜を形成してからSOG膜を堆積し、このSOG膜をエッチバックした後上層配線を形成する多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、前記エッチバック工程の後に酸素プラズマでの処理工程と緩衝フッ酸液によるエッチング工程を付加したことを特徴とする多層配線構造を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/302 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-234148
  
• 特開平4-030524
  
• 有機系塗布ガラスの除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-319280   出願人：ヤマハ株式会社