半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068189
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264618
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】この発明は、全体のウエハ処理時間を短縮することにより、生産性の向上を実現する。【構成】半導体製造装置は、第1、第2のプロセスチャンバー1,2,ハンドラーユニット3 及び第1、第2のカセットユニット4,5 から構成されている。即ち、ハンドラーユニット3 はウエハハンドラ3aとウエハハンドリング室3bとからなる。ウエハハンドラ3aにウエハを搬送する際にウエハの温度を 300°C及び50°Cに保持する図示せぬ加熱手段を取り付けている。第1のプロセスチャンバー1 に、チャンバを 300°Cのプロセス温度に加熱する図示せぬ加熱手段及びチャンバ内に所定のガス系を導入する図示せぬガス導入経路を設け、第2のプロセスチャンバー2に、チャンバを50°Cのプロセス温度に設定する図示せぬ加熱手段及び所定のガス系を導入する図示せぬガス導入経路を設けている。従って、生産性の向上を実現できる。

請求項（抜粋）：

ウエハが収納されているカセットユニットと、前記ウエハに所定の処理を第1の温度で行う第1のチャンバーと、前記ウエハに所定の処理を前記第1の温度より高い第2の温度で行う第2のチャンバーと、前記カセットユニット、前記第1のチャンバー及び前記第2のチャンバーの相互間において前記ウエハを搬送する搬送手段と、前記搬送手段に設けられ、前記ウエハを前記第1の温度以上且つ前記第2の温度以下の温度に保持する保持手段と、を具備することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (7件)：

H01L 21/68 , B01J 19/00 , B65G 49/07 , H01L 21/02 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (7件)：

H01L 21/68 A , B01J 19/00 K , B65G 49/07 C , H01L 21/02 Z , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-054844
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-262621 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

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