特許
J-GLOBAL ID：200903061367385833
多層配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181187
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026937
出願日： 1997年07月07日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】スルーホール内部に未充填部分を発生させることなく、スルーホールの充填物と配線を一括して電気めっきで形成することができる多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】配線層2上に絶縁層3を形成し、絶縁層3に、層間接続を行なうためのスルーホール4を形成し、絶縁層表面及びスルーホール側壁に導電性膜5を形成し、レジストマスク6をめっきガイドとし、導電性膜5を電極とする電気めっきを行い、スルーホール4の充填物および新たな配線層を一括して形成する。そして、この際、スルーホール4の上径dと深さtの比(t/d)を、1≦t/d≦2に設定する。
請求項（抜粋）：
配線層と絶縁層を有する多層配線基板の製造方法において、配線層上に絶縁層を形成すると共に、該絶縁層に、層間接続を行なうためのスルーホールを形成する第一の工程と、前記絶縁層の表面及び前記スルーホールの側壁に導電性膜を形成する第二の工程と、前記スルーホールの形成位置に対応する開口部を有するレジストマスクを、前記絶縁層上に存在する導電性膜の上に形成する第三の工程と、前記レジストマスクをめっきガイドとし、かつ、前記導電性膜を電極とする電気めっきを行い、スルーホール内の充填物および新たな配線層を一括して形成する第四の工程を有し、前記スルーホールを形成する際に、該スルーホールの上径dと深さtの比(t/d)を、1≦t/d≦2に設定することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
FI (3件)：
H05K 3/46 B
, H05K 3/46 E
, H05K 3/46 N
