特許
J-GLOBAL ID：200903061372257444
GaNバルク単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074002
公開番号（公開出願番号）：特開平10-265297
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月06日
要約：
【要約】【課題】 高効率の青色発光を呈するGaN系半導体発光素子を量産するための基板として好適な、良好な成長位置の制御性と結晶性、サイズ及び形状の均一性を同時に具備するGaN単結晶の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板上にSiO2 膜又はSiNx 膜を形成した後、GaNバルク単結晶の形成を所望する位置のSiO2 膜又はSiNx 膜を除去し、該基板上に、金属ガリウム又はその化合物を高温、アンモニア雰囲気下で昇華再結晶させることにより、GaNバルク単結晶を該基板上の所望の位置のみに選択的に成長させることにより上記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
基板上にSiO2 膜又はSiNx 膜を形成した後、GaNバルク単結晶の形成を所望する位置のSiO2 膜又はSiNx 膜を除去し、該基板上に、金属ガリウム又はその化合物を高温、アンモニア雰囲気下で昇華再結晶させることにより、GaNバルク単結晶を該基板上の所望の位置のみに選択的に成長させることを特徴とするGaNバルク単結晶の製造方法。
IPC (6件)：
C30B 29/38
, C30B 23/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
C30B 29/38 D
, C30B 23/00
, H01L 21/203 Z
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
