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J-GLOBAL ID：200902199261127361   整理番号：97A0320376

昇華法によるバルクGaN成長における核形成の制御

Nucleation Control in the Growth of Bulk GaN by Sublimation Method.

著者 (3件)： KURAI S (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  NISHINO K (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  SAKAI S (Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36  号： 2B  ページ： L184-L186  発行年： 1997年02月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア(0001),スクラッチさせたサファイア(0001...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (9件)：

• 1) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353
• 2) S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1705.
• 3) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332
• 4) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L217
• 5) Z. Liliental-Weber, C. Kisielowski, X. Liu, L. Schloss, E. R. Weber, M. Bockowski, J. Jun, I. Grzegory and S. Porowski: Top. Workshop on III-V Nitrides Abstr., Nagoya, 1995, G-8.

タイトルに関連する用語 (5件)： 昇華 ,  バルク ,  GaN ,  成長 ,  核形成