レジストパターン形成方法、不純物添加領域形成方法及び微細パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-219210
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043204
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 2次元面内に分布する規則的なパターンを、比較的容易に形成することが可能なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】複数の透過領域が、第1の方向に第1のピッチで、かつ第2の方向に規則的に分布しているマスクを準備する。感光性レジスト膜が形成された基板の表面に、マスクを、微少なギャップを隔てて対向配置する。マスクを通して基板上の感光性レジスト膜を部分的に露光する。マスク及び基板の一方を他方に対して、第1の方向へ第1のピッチよりも短い距離だけ移動させ、マスクを通して基板上の感光性レジスト膜を部分的に露光する。露光された感光性レジスト膜を現像する。第1の露光工程で形成される第1のパターンと、第2の露光工程で形成される第2のパターンとが、第1の方向に連続するように、第1及び第2の露光工程時における感光性レジスト膜の吸収線量の分布、及び現像感度が設定されている。

請求項（抜粋）：

同一形状の複数の透過領域が、第1の方向に第1のピッチで、かつ第2の方向に第2のピッチで規則的に分布しているマスクを準備する工程と、表面上に感光性レジスト膜が形成された基板の該表面に、前記マスクを、微少なギャップを隔てて対向配置する工程と、前記マスクを通して、前記基板上の感光性レジスト膜を部分的に露光する第1の露光工程と、前記マスク及び基板の一方を他方に対して、前記第1の方向へ第1のピッチよりも短い第1の距離だけ移動させ、該マスクを通して、前記基板上の感光性レジスト膜を部分的に露光する第2の露光工程と、露光された前記感光性レジスト膜を現像する工程とを有し、前記第1の露光工程で露光されたことにより形成される第1のパターンと、前記第2の露光工程で露光されたことにより形成される第2のパターンとが、前記第1の方向に連続するように、前記第1の露光工程及び第2の露光工程時における前記感光性レジスト膜の吸収線量の分布、及び前記現像工程時の現像感度が設定されているレジストパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 503 , G03F 7/20 521 , G03F 7/26 501 , G03F 7/40 521

FI (7件)：

G03F 7/20 503 , G03F 7/20 521 , G03F 7/26 501 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 511 , H01L 21/30 502 G , H01L 21/30 531 E

Fターム (30件)：

2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096EA07 , 2H096EA12 , 2H096GA00 , 2H096HA11 , 2H096HA30 , 2H096JA04 , 2H096LA01 , 2H096LA16 , 2H097AA12 , 2H097BA06 , 2H097CA15 , 2H097GA45 , 2H097JA02 , 2H097JA03 , 2H097LA10 , 5F046AA25 , 5F046BA02 , 5F046CC01 , 5F046CC02 , 5F046CC05 , 5F046CC15 , 5F046DB10 , 5F046DB11 , 5F046DB14 , 5F046GA02 , 5F046GA11 , 5F046GA12 , 5F046GA16

引用特許：

出願人引用 (3件)

放射光X線露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-285527 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭61-193444
特開平3-064016

審査官引用 (5件)

放射光X線露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-285527 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭61-193444
特開平3-064016

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