特許

J-GLOBAL ID：200903061391721712

高いラッチアップ耐性を備えた炭化ケイ素ベースのMIS構造

発明者： ミツトレーナー、ハインツ ,  シユテフアニ、デイートリツヒ ,  チハニ、イエネ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-522678
公開番号（公開出願番号）：特表平9-503626
出願日： 1995年02月24日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】MIS構造はn形のドリフト領域(1)、ドリフト領域(1)の表面に配置されたベース領域(3)、ベース領域(3)にイオン注入されたn+形ソース領域(2)、ベース領域(3)とソース領域(2)とを短絡するソース電極(S)、及びベース領域(3)のチャネル領域(32)の抵抗を絶縁体領域(5)を介して制御するゲート電極(G)を有する。ソース領域(2)全体の下側のイオン注入されたp+形の部分領域(33)においてベース領域(3)はチャネル領域(32)より高くドープされている。

請求項（抜粋）：

a)少なくとも1つのドリフト領域(1)、b)ドリフト領域(1)の表面(10)に或いは中に配置された少なくとも1つのベース領域(3)、c)ベース領域(3)によってドリフト領域(1)から隔てられている少なくとも1つのソース領域(2)、d)ソース領域(2)とベース領域(3)とを電気的に互いに接続する少なくとも1つのソース電極(S)、e)ソース領域(2)とドリフト領域(1)とを接続するベース領域(3)の少なくとも1つのチャネル領域(32)、f)チャネル領域(32)の電気抵抗を制御し、チャネル領域(32)とゲート電極(G)との間に配置された絶縁体領域(5)上にある少なくとも1つのゲート電極(G)、を備え、g)ドリフト領域(1)とソース領域(2)とはそれぞれ1つの導電形の炭化ケイ素(SiC)で、ベース領域(3)はこれと反対の導電形の炭化ケイ素(SiC)で作られ、h)ベース領域(3)には、、少なくとも部分的にソース領域(2)の下側に延び直接ソース領域(2)に接している少なくとも1つの部分領域(33)が設けられ、この部分領域(33)がベース領域(3)のチャネル領域(32)よりも高いキャリア濃度を持っているMIS(金属-絶縁体-半導体)構造。

FI (4件)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 絶縁ゲート型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-106589   出願人：富士電機株式会社
• 特開平3-214740
  
• 特開平3-136278