特許

J-GLOBAL ID：200903061401814269

発光素子及びその製造方法

発明者： 石崎 順也
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-382145
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214405
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】MgZnOからなるp型層を高品質にて確実に形成でき、ひいては高性能で安価な紫外線もしくは青色発光型の発光素子を提供する。【解決手段】発光素子1は、発光層部24がp型酸化物層34とn型酸化物層32を有し、p型酸化物層34が、Nと、Nよりも低濃度のV、Nb及びTaの1種以上よりなる5A族元素又はNよりも低濃度のLi、Na及びKの1種以上よりなる1A族元素よりなる補助金属元素とを含有するp型MgxZn1-xO(以下、MgZnOとも記す:ただし、0<x≦1)層からなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

発光層部がp型酸化物層とn型酸化物層を有し、前記p型酸化物層が、Nと、Nよりも低濃度のV、Nb及びTaの1種以上よりなる5A族元素又はNよりも低濃度のLi、Na及びKの1種以上よりなる1A族元素よりなる補助金属元素とを含有するp型MgxZn1-xO(ただし、0<x≦1)層からなることを特徴とする発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/365

FI (2件)：

H01L33/00 D ,  H01L21/365

Fターム (19件)：

5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB22 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 導電性材料、導電性薄膜、複合膜、及び導電性材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-241838   出願人：大阪大学長
• 発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-131376   出願人：信越半導体株式会社
• 特開平1-175778