特許
J-GLOBAL ID:200903061437455230

電子放出素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (22件): 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-086152
公開番号(公開出願番号):特開2009-238690
出願日: 2008年03月28日
公開日(公表日): 2009年10月15日
要約:
【課題】 高電子放出量、高電流密度の電子放出素子および電子放出装置を提供する。【解決手段】 電子放出素子は、導電性基板と、前記導電性基板上に形成された第1導電型の第1のダイヤモンド層と、前記第1のダイヤモンド層上に形成された第1導電型の第2のダイヤモンド層とを具備する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
導電性基板と、 前記導電性基板上に形成された第1導電型の第1のダイヤモンド層と、 前記第1のダイヤモンド層上に形成された第1導電型の第2のダイヤモンド層と、 を具備することを特徴とする電子放出素子。
IPC (2件):
H01J 1/304 ,  H01J 31/12
FI (2件):
H01J1/30 F ,  H01J31/12 C
Fターム (10件):
5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EG12 ,  5C135AA09 ,  5C135AB06 ,  5C135AC01 ,  5C135GG09 ,  5C135GG10 ,  5C135HH02 ,  5C135HH06
引用特許:
出願人引用 (2件)

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