特許
J-GLOBAL ID:200903061463240811
強誘電体薄膜の作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
上柳 雅誉 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-092505
公開番号(公開出願番号):特開2001-279464
出願日: 2000年03月29日
公開日(公表日): 2001年10月10日
要約:
【要約】【課題】溶液塗布法により作製する強誘電体薄膜について、表面の結晶粒径が小さく均一で、柱状な結晶粒をもつ強誘電体薄膜を作製する。【解決手段】ブトキシエタノールを溶媒とし、酢酸鉛、ジルコニウムアセチルアセトナートおよびチタニウムテトライソプロポキシドを原料に含み、クラック防止剤および配位安定化剤を添加した強誘電体薄膜用原料溶液について、前記原料溶液を1層塗布するごとに乾燥工程および熱処理による結晶化工程を行ない、これらの工程を繰り返すことにより強誘電体薄膜を作製する。
請求項(抜粋):
下部電極として白金を最上層に堆積させた基板上にチタン酸ジルコン酸鉛系強誘電体薄膜用原料溶液をスピンコートにより塗布する、強誘電体薄膜の作製方法について、(a)ブトキシエタノールを溶媒とし、少なくとも酢酸鉛、ジルコニウムアセチルアセトナートおよびチタニウムテトライソプロポキシドを生成酸化物中の金属元素の供給源として含み、クラック防止剤および配位安定化剤を添加した原料溶液をスピンコートにより1層塗布する工程と、(b)原料溶液を塗布した基板を乾燥させて有機物を脱離させる工程と、(c)熱処理により結晶化させる工程と、(d)前記(a)、(b)、(c)の工程を繰り返すことにより任意の厚さの薄膜を得る工程、からなることを特徴とする、強誘電体薄膜の作製方法。
IPC (4件):
C23C 26/00
, C01G 25/00
, H01L 41/18
, H01L 41/24
FI (4件):
C23C 26/00 C
, C01G 25/00
, H01L 41/18 101 Z
, H01L 41/22 A
Fターム (12件):
4G048AA03
, 4G048AB02
, 4G048AC01
, 4G048AC02
, 4G048AD02
, 4G048AD06
, 4G048AE08
, 4K044AA06
, 4K044AB05
, 4K044BA12
, 4K044BC14
, 4K044CA53
引用特許:
審査官引用 (1件)
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強誘電性薄膜
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-083465
出願人:株式会社リコー
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