特許

J-GLOBAL ID：200903061472902860

薄膜キャパシタおよびその製造方法

発明者： 阿部 和秀 ,  小松 周一 ,  出羽 光明 ,  福島 伸 ,  佐野 賢也 ,  川久保 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-039394
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093050
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 小さな面積で多くの電荷を蓄積できる薄膜キャパシタを提供することを目的とする。【解決手段】 表面に立方晶系の(100)面又は正方晶系の(001)面が現れている第1の電極と、この第1の電極上にエピタキシャル成長された、本来立方晶のペロブスカイト型構造を有する誘電体薄膜と、この誘電体薄膜上に形成された第2の電極とを具備し、誘電体薄膜は、立方晶系に属する本来のペロブスカイト型結晶構造(格子定数a0 )の単位格子体積をv0 =a0 3 、エピタキシャル成長後正方晶に歪んだ単位格子体積(格子定数a=b≠c)をV=a2 cと表わしたとき、 V/V0 ≧1.01なる関係を満たすとともに、膜厚方向の格子定数cと膜面に平行な方向の格子定数aとの比c/aがc/a≧1.01なる関係を満たす薄膜キャパシタ。

請求項（抜粋）：

表面に立方晶系の(100)面又は正方晶系の(001)面が現れている第1の電極と、この第1の電極上にエピタキシャル成長された、本来立方晶のペロブスカイト型構造を有する誘電体薄膜と、この誘電体薄膜上に形成された第2の電極とを具備し、前記誘電体薄膜は、立方晶系に属する本来のペロブスカイト型結晶構造(格子定数a0 )の単位格子体積をv0 =a0 3 、エピタキシャル成長後正方晶に歪んだ単位格子体積(格子定数a=b≠c)をV=a2 cと表わしたとき、V/V0 ≧1.01なる関係を満たすとともに、膜厚方向の格子定数cと膜面に平行な方向の格子定数aとの比c/aがc/a≧1.01なる関係を満たすことを特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 配向性強誘電体薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-358050   出願人：富士ゼロックス株式会社
• キャパシタおよび半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-048220   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (1件)

• 配向性強誘電体薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-358050   出願人：富士ゼロックス株式会社