特許
J-GLOBAL ID：200903061519734561

半導体製造装置用ガス導入ノズル

発明者：
姫野 修

姫野 修 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-371718
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195807
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】半導体製造装置用ガス導入ノズルにおいて、各導入管路からのガスの均一導入を可能としガス導入孔の数を多くできるようにする。【解決手段】ガス導入管路に、管路中で最もガスの静圧が高くなるような流量制御室を設け、流量制御室とチャンバーとの隔壁に複数のガス導入孔を設けるとともに、流量制御室の入口側の原料ガスの比エネルギー損失よりも出口側の比エネルギー損失を大きくして、流量制御室が正圧となるようにする。
請求項（抜粋）：
CVD法による薄膜生成装置等の半導体製造装置において、一種乃至数種のガスをチャンバーに導入するためのガス導入管路途中に流量制御室を設け、該流量制御室とチャンバーとの隔壁に複数のガス導入孔を設けるとともに、流量制御室から流出するガスの全圧損失を大きくすることで流量制御室がチャンバーに比べ正圧となるようにしたことを特徴とする半導体製造装置用ガス導入ノズル。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  B05B 1/00
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  B05B 1/00 Z ,  H01L 21/302 B
Fターム (26件)：
4F033AA14 ,  4F033BA01 ,  4F033DA05 ,  4F033EA01 ,  4F033LA13 ,  4F033NA01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA19 ,  5F004BB18 ,  5F004BC03 ,  5F004BC08 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F045AB09 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AE25 ,  5F045BB02 ,  5F045EC08 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05 ,  5F045EE12 ,  5F045EF01 ,  5F045EF05 ,  5F045EF11
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM