特許

J-GLOBAL ID：200903061522686900

半導体装置及びその製造方法

発明者： 大山 展生 ,  牧 眞一郎 ,  藤崎 文利 ,  蔵本 俊一 ,  西郷 幸生 ,  八田 康雄 ,  俣江 洋一 ,  矢野 厚志 ,  辻 和人 ,  樋高 雅文
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-183988
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021919
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、異なる機能領域間での干渉による悪影響を防止して、安定した動作を確実に行い得る小型で高集積の半導体装置を提供することを目的としている。【解決手段】 半導体素子2と、該半導体素子2を封止する樹脂パッケージ3と、前記半導体素子2の信号端子を前記樹脂パッケージ3外部に導出する信号経路4と、前記半導体素子2裏面と接触するグランド用金属膜8と、該グランド用金属膜8に接続され前記樹脂パッケージ3外部に導出されるグランド経路9とを具備する構成としている。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、該半導体素子を封止する樹脂パッケージと、前記半導体素子の信号端子を前記樹脂パッケージ外部に導出する信号経路と、前記半導体素子裏面と接触するグランド用金属膜と、該グランド用金属膜に接続され前記樹脂パッケージ外部に導出されるグランド経路とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28

FI (5件)：

H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/28 J ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 L

Fターム (6件)：

4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109DA07 ,  4M109GA10 ,  5F044AA07 ,  5F044JJ03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• バンプ付電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-327779   出願人：松下電器産業株式会社
• 電子部品搭載装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-333477   出願人：イビデン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法及びリードフレーム及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-322803   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法及びリードフレーム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-017550   出願人：富士通株式会社