特許

J-GLOBAL ID：200903061538947231

ITO焼結体およびその製造方法

発明者： 高梨 昌二 ,  岸 俊人 ,  名手 達夫
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202910
公開番号（公開出願番号）：特開平8-049070
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 比抵抗値の良好なITO膜が成膜できるばかりでなく、耐熱衝撃性に優れ、かつ手による粉砕が容易であるために最終的には粉末としても使用でき、作業性がよく利用効率に優れたITO焼結体を提供する。【構成】 主としてインジウム、錫および酸素からなり、焼結体の錫組成が20重量%未満となるように配合された粉末を成形した後、焼結を行う過程において、酸化インジウム粉末を主とする原料粉中に、酸化インジウム粉末と酸化錫粉末を熱処理することにより得た粒度調整粉を添加して造粒粉とし、その後成形、焼結を行う。

請求項（抜粋）：

主としてインジウム、錫および酸素からなる粉末を成形して焼結を行うITO焼結体の製造方法において、酸化インジウム粉末と酸化錫粉末を混合して熱処理することにより粒度調整粉を得て、酸化インジウム粉末を主とする原料粉中に前記粒度調整粉を添加して造粒粉末とし、該造粒粉末を成形、焼結するITO焼結体の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/628 ,  C04B 35/495

FI (2件)：

C04B 35/00 B ,  C04B 35/00 J

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ITO焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-200252   出願人：住友金属鉱山株式会社, 株式会社湘南電子材料研究所