特許

J-GLOBAL ID：200903061540367366

縦型MOS電界効果トランジスタ

発明者： 角 石 千 春
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-311769
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135814
出願日： 1999年11月02日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 裏面にショットキー接合を備えた縦型MOS電界効果トランジスターにおいて、ショットキー金属のバリア高さを考慮した最適条件の設定と、デバイスの実用化を図る。【解決手段】 低濃度ドレイン領域を形成するN型導電型半導体基板の一面側に縦型MOS構成が形成され、他面側に該ドレイン領域とショットキー接合が形成された縦型MOS電解効果トランジスターにおいて、該半導体基体は膜厚1500Å以上、且つSi含有量の0.5 %以上のAl-Si合金で構成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

低濃度ドレイン領域を形成するN型導電型半導体基板の一面側に縦型 MOS構成が形成され、他面側に該ドレイン領域とショットキー接合が形成された縦型MOS電界効果トランジスタにおいて、該半導体基体はシングルウエハーであり、該ショットキー接合は膜厚1500 Å以上、且つSi含有量0.5 %以上のAl-Si合金で構成されたことを特徴とする縦型MOS電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/78 655 C

Fターム (6件)：

4M104BB03 ,  4M104CC01 ,  4M104FF02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-280109   出願人：富士電機株式会社
• 特開平3-155677
  
• 特開平3-060149