特許

J-GLOBAL ID：200903089883754910

半導体装置

発明者： 百田 聖自
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-280109
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148675
出願日： 1994年11月15日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】IGBTの短絡耐量を向上させる過電流保護回路で使用されるMOSFETとショットキーダイオードをワンチップ化し、IGBTモジュールの小型化、低コスト化を図る。【構成】縦形MOSFETで比抵抗が0.1ないし10Ω-cmのn- 層1とAl膜9からなるドレイン電極7とをショットキー接合18とする。

請求項（抜粋）：

第一導電形半導体基板の一主面に第二導電形領域が選択的に形成され、第二導電形領域の表面層に第一導電形高濃度領域が選択的に形成され、第一導電形半導体基板と第一導電形高濃度領域とに挟まれた第二導電形領域の表面にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、さらにゲート電極上が絶縁膜で被覆され、ソース電極が該絶縁膜上、第一導電形高濃度領域上および第二導電形領域上に形成され、ドレイン電極が第一導電形半導体基板の他主面に形成される縦形MOSFETにおいて、ドレイン電極と第一導電形半導体基板とでショットキー接合を形成することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-065961   出願人：富士電機株式会社
• 特開平3-155677
  
• 特開昭54-091053
  
• 特開昭61-220464