特許

J-GLOBAL ID：200903061548369473

半導体フィーチャを形成する方法

発明者： カルロス・ジェイ・サンバセッティ ,  スティーヴン・エイチ・ボエッチャー ,  ピーター・エス・ロック ,  ジュディス・エム・ラビノ ,  スーン-チェオン・セオ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-098341
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332558
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 ライナーの完全性と、関連するレベルと他の金属レベルとの間の電気的連続性を有する単一の層を与える改良された構造を提供する。【解決手段】 開口を有する半導体誘電体材料1を備えた半導体構造である。開口を裏打ちする第1の材料15は、MXYからなり、ここで、Mは、コバルトおよびニッケルよりなる群から選択され、Xは、タングステンおよびシリコンよりなる群から選択され、Yは、りんおよびほう素よりなる群から選択され、第2の材料20は、裏打ちされた誘電体材料を充填する。

請求項（抜粋）：

半導体フィーチャを形成する方法であって、誘電体材料内の開口を、第1の材料でメッキする工程を含み、前記材料は、CoXYからなり、Xは、タングステン,錫,およびシリコンよりなる群から選択され、Yは、りん,ほう素よりなる群から選択される、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/288

FI (4件)：

H01L 21/288 M ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-227113   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-256014   出願人：ソニー株式会社