成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-227113
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058645
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】電解メッキ法によって低抵抗の金属を溝や孔に良好に埋め込む。【解決手段】配線用の溝12や孔13が形成された被処理基板上に無電解メッキの成長種として機能する第1の金属膜15を形成する工程と、第1の金属膜が形成された被処理基板上に無電解メッキ法によって第2の金属膜16を形成する工程と、第1及び第2の金属膜が形成された被処理基板上に電界メッキ法によって第3の金属膜17を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

配線用の溝及び/又は孔が形成された被処理基板上に無電解メッキの成長種として機能する第1の金属膜を形成する工程と、この第1の金属膜が形成された被処理基板上に無電解メッキ法によって第2の金属膜を形成する工程と、前記第1及び第2の金属膜が形成された被処理基板上に電界メッキ法によって第3の金属膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 , C23C 18/52 , C25D 3/38 , H01L 21/288 , H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/90 A , C23C 18/52 B , C25D 3/38 , H01L 21/288 E , H01L 21/88 B

Fターム (29件)：

4K022AA02 , 4K022BA01 , 4K022BA08 , 4K022BA18 , 4K022BA36 , 4K022DA01 , 4K022DB06 , 4K022DB29 , 4K023AA19 , 4K023AA24 , 4K023BA06 , 4K023BA29 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104HH16 , 5F033AA04 , 5F033AA05 , 5F033AA66 , 5F033BA17 , 5F033BA25 , 5F033BA38 , 5F033BA46

引用特許：

審査官引用 (4件)

配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-142262 出願人：沖電気工業株式会社
バイアホール及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-330822 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-120734

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