特許

J-GLOBAL ID：200903061555801704

電界放出陰極装置

発明者： 別井 圭一 ,  豊田 治 ,  福田 晋也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-112765
公開番号（公開出願番号）：特開平5-314892
出願日： 1992年05月01日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 電界放出陰極装置に関し、半導体基板を用いる場合に好便にカソード電極層の絶縁を行うことのできるようにすることを目的とする。【構成】 カソード電極層に接続されたエミッタティップ18が、積層された絶縁層20及びゲート電極層22に設けられた穴24に配置されている電界放出陰極装置において、カソード電極層16は半導体基板14の表面に設けられ、かつ該半導体基板14の表面の導電型とは異なった導電型の半導体で形成されている構成とする。

請求項（抜粋）：

カソード電極層に接続されたエミッタティップ(18)が、積層された絶縁層(20)及びゲート電極層(22)に設けられた穴(24)に配置されている電界放出陰極装置において、カソード電極層(16)は半導体基板(14)の表面に設けられ、かつ該半導体基板(14)の表面の導電型とは異なった導電型の半導体で形成されていることを特徴とする電界放出陰極装置。

IPC (2件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電界放出型電子源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-227059   出願人：シヤープ株式会社