特許

J-GLOBAL ID：200903061557841819

金属化合物の薄膜形成装置及びその薄膜形成方法

発明者： 宋 亦周 ,  桜井 武 ,  丸田 和彦 ,  税所 慎一郎 ,  遠藤 和宏 ,  松本 繁治
出願人/特許権者： 株式会社シンクロン
代理人 (1件)： 秋山 敦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-237599
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064772
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、金属化合物薄膜を得るスパッタリング技術において、酸素等の反応性ガスが各ターゲットのスパッタゾーンに入り込むことによって起きる異常放電を防止し、欠陥のない薄膜を得ることができる金属化合物の薄膜形成装置及びその薄膜形成方法を提供することにある。【解決手段】 本発明に係る金属化合物の薄膜形成装置Sは、ターゲット29,49が配設された真空槽11と、この真空槽11に接続された排気ポンプ82と、を備える。真空槽11内には成膜プロセス室20,40と反応プロセス室60が形成される。この成膜プロセス室20,40と反応プロセス室60とは遮蔽板31,51,75で区画される。成膜プロセス室20,40と反応プロセス室60との間には、排気ポンプ82が配設される。

請求項（抜粋）：

ターゲットが配設された真空槽と、該真空槽に接続された排気ポンプと、を備えた金属化合物の薄膜形成装置において、前記真空槽内には成膜プロセス室と反応プロセス室が形成され、前記成膜プロセス室と前記反応プロセス室とは遮蔽板で区画されると共に、前記成膜プロセス室と前記反応プロセス室との間に前記排気ポンプを配設したことを特徴とする金属化合物の薄膜形成装置。

Fターム (6件)：

4K029CA06 ,  4K029DA01 ,  4K029DA02 ,  4K029DA10 ,  4K029DC04 ,  4K029DC16

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜形成方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-337931   出願人：株式会社シンクロン