特許

J-GLOBAL ID：200903075740611327

薄膜形成方法および装置

発明者： 田本 純一 ,  岡田 勝久 ,  成澤 清志 ,  伊東 孝
出願人/特許権者： 株式会社シンクロン
代理人 (1件)： 臼村 文男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-337931
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176821
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：

【要約】【構成】 ターゲット29をスパッタして基板上に、Si,Ti,Zr等の金属ないしは金属の不完全反応物からなる超薄膜を形成する工程と、誘導結合型プラズマ源によりこの超薄膜を反応性ガスのプラズマに曝して、超薄膜と反応性ガスとを反応せしめSiO2 ,TiO2 ,ZrO2 等の金属化合物に変換する工程とを順序繰返し、所望の膜厚の薄膜を形成する。【効果】 簡単な構成および操作で、金属を高速でスパッタし、これを酸化物等の化合物薄膜に変換し、安定した特性の化合物薄膜を高速で形成することができる。

請求項（抜粋）：

スパッタにより基板上に、金属ないしは金属の不完全反応物からなる超薄膜を形成する工程と、この超薄膜を反応性ガスのプラズマに曝して、上記超薄膜と反応性ガスとを反応せしめ金属化合物に変換する工程とを順序繰返し、所望の膜厚の薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 14/56 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/58

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜超電導体の製造方法及びその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-075573   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜の形成方法および形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-330270   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平2-115359
  
• 特開平1-298151