特許
J-GLOBAL ID：200903061565956650
固体材料の薄膜形成方法及び該方法の応用
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-540595
公開番号（公開出願番号）：特表2000-510284
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 2000年08月08日
要約：
【要約】本発明は、誘電材料、導電材料、半導体材料、非組織半導体材料から選ばれる結晶質又は非結晶質の固体材料の薄膜を形成する方法に関わり、該方法は、上記の固体材料から成る基板を処理するにあたり下記の段階を含むことを特徴とする:- 該基板の本体内の平均イオン侵入深さに近い深さの位置に該基板を二つの領域に分離する複数の微小キャビティから成る層が生じるように、基板の一方の面に、希ガスイオン及び水素イオンから選ばれるイオンによって衝撃を付与するイオン注入段階;- 前記微小キャビティの層を、前記基板の前記二つの領域が自然にあるいは応力を与えることによって分離するのに充分な温度まで加熱する熱処理段階。本方法は、強誘電キャパシタメモリに応用できる。
請求項（抜粋）：
誘電材料、導電材料、半絶縁材料、非組織半導体材料から選ばれる結晶質又は非結晶質の固体材料(103)の薄膜を形成する方法であって、 前記固体材料から成る基板(100)を下記の段階を含んだ工程により処理することを特徴とする薄膜形成方法: - 前記基板(100)の本体内の平均イオン侵入深さに近い深さの位置に該基板を二つの領域(103,104)に分離する複数の微小キャビティから成る層(102)が生じるように、基板(100)の一方の面(101)に、希ガスイオン及び水素イオンから選ばれるイオンによって衝撃を付与するイオン注入段階; - 前記微小キャビティの層(102)を、前記基板の前記二つの領域(103,104)が自然にあるいは応力を与えることによって分離するのに充分な温度まで加熱する熱処理段階。
IPC (10件)：
H01L 27/108
, C23C 14/48
, C23C 14/58
, H01L 21/265
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 27/10 451
, H01L 27/12
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 651
, C23C 14/48 A
, C23C 14/58 A
, H01L 27/10 451
, H01L 27/12 B
, H01L 21/265 W
, H01L 29/78 371
