CVDシステムの真空ラインのクリーニング方法及び装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-274008
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181063
出願日： 1996年09月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】排気ラインで粒子物質その他の物質の蓄積を実質的に防止する装置を提供する。【解決手段】堆積操作中に真空ラインに集まることになる粒子残留物その他の物質を、収集チャンバ内で捕捉(トラップ)し、反応チャンバの下流に形成したプラズマの中で除去する。このプラズマは、収集チャンバを通ってポンプにより送り込まれる排気残留物及び排気ガスの中に形成される。プラズマの構成成分が反応を生じてガス状の生成物を形成し、これは直ちにポンプにより排気ラインを通ってその外に排気される。また、本発明は、このような堆積物質の形成を防止し、且つ、堆積物質の除去を確保するための方法も提供するものである。

請求項（抜粋）：

排気ライン内の堆積物を減少するための装置であって、流入ポートと流出ポートとを備えるベッセルチャンバと、前記ベッセルチャンバに接続される電極であって、所定の電圧が前記電極に印加されたときに前記ベッセルチャンバ内の粒状物をプラズマにより励起して、プラズマの構成成分を反応させガス状の生成物を形成し、該ガス状生成物は前記ベッセルチャンバから強制排気される、前記電極と、を備える装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/31 B , C23C 16/44 J , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-248781 出願人：松下電器産業株式会社
プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-179512 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平3-253571

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