特許

J-GLOBAL ID：200903061619168059

スパイラルインダクタ及び高周波半導体装置

発明者： 丹波 憲之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257932
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068862
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】シリコンプロセスにおいて半導体基板上に形成されたスパイラルインダクタヘの基板-絶縁層を介した雑音の伝播量を低減し、ロジック回路からの雑音が高周波回路に悪影響を及ぼさないことである。また、本発明では、飛び込み雑音を低減する手段とスパイラルインダクタとの間に形成される寄生容量を小さく抑え、インダクタの特性劣化を引き起こさないことである。【解決手段】シリコンプロセスによって半導体上に形成されたスパイラルインダクタ21の周囲にスパイラルインダクタ21を形成しているメタル配線2と同一の絶縁層にメタル接地配線1を配置する。また、メタル接地配線1から複数の絶縁層8に複数のスルーホール4を介して、最下層のメタル配線層5まで接続し、スパイラルインダクタ21をメタル接地配線1、スルーホール4、最下層のメタル配線5で囲み込むシールド構造とする。

請求項（抜粋）：

シリコンプロセスによって、複数の絶縁層を備えた半導体装置の所定の層上に形成されたスパイラル状配線の周囲に、シールド部を備えたことを特徴とするスパイラルインダクタ。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

H01L 27/04 L ,  H01L 27/04 H ,  H01L 21/88 S

Fターム (18件)：

5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033UU05 ,  5F033VV03 ,  5F033VV08 ,  5F033XX23 ,  5F033XX24 ,  5F038AZ05 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038CD04 ,  5F038CD18 ,  5F038DF01 ,  5F038DF03 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 誘導素子の集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-371460   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ