特許
J-GLOBAL ID：200903061627549215
半導体ウェーハの枚葉化処理方法、その装置、および半導体ウェーハの分離装置、ならびに、半導体ウェーハ表面付着物の除去装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-219514
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045640
出願日： 1995年08月03日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】 ワイヤソー切断ウェーハについて生産性を高めた枚葉化処理装置を提供する。ワイヤソー切断ウェーハの処理での廃液量を低減する。短時間にスラリ除去を行う。枚葉化処理装置を自動化する。【解決手段】 ワイヤソーで切断した半導体ウェーハブロック21をブロック状態のまま予備洗浄し、一定の研削油等を除去する。へら22を連結部に打ち当ててカーボンベッド23から1枚ずつウェーハを剥離し、さらにカーボン断片を取り除く。ウェーハ24は1枚ずつ、ブレード26,27でその表裏面をかくらんするし、砥粒・油等の付着物を物理的に除去する。洗剤を噴霧したブラッシングで表裏面からその他の有機物等を除き、洗剤洗浄および温純水洗浄を施す。洗浄後は乾燥し、カセットに収容して以後の面取り工程等に供する。
請求項（抜粋）：
半導体ブロックにベッド材を接着し、ワイヤソーで切断することにより、ベッド材に複数の半導体ウェーハの一部が連結された状態に加工するワイヤソー工程と、各半導体ウェーハをベッド材から分離する工程と、スクレーパでこれらの半導体ウェーハの表裏面からスラリ付着物を除去する工程と、各半導体ウェーハの表裏面を洗剤で洗浄する工程とを備えた半導体ウェーハの枚葉化処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 311
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304
H01L 21/304 311 A
, H01L 21/304 341 N
, H01L 21/304 341 B
