特許

J-GLOBAL ID：200903061640567338

電子回路基板の金属膜形成方法及びその装置並びにその配線修正方法

発明者： 本郷 幹雄 ,  水越 克郎 ,  高田 敦仁
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-026872
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222565
出願日： 1995年02月15日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】電子回路基板上に形成された配線の断線欠陥を、簡便な修正ヘッドにより高精度かつ安全に修正する。【構成】内部にノズルと対物レンズを備え、被修正基板と対向する面に溝を有し、レーザ光を透過するための窓を有するカップ状の修正ヘッド内に、ノズルを介してキャリガスとCVD材料ガスの混合ガスを供給しつつ、上記溝に大気の混入とCVD材料ガスの漏洩を防止するための流体を流した状態で、レーザ光を照射してCVD材料ガスを分解し、断線部分に金属膜を形成して修正する。【効果】構造が簡便であり複雑な制御を必要とせず、高精度でかつ安全に電子回路基板の排せんの断線欠陥を修正することができる。

請求項（抜粋）：

混合ガス室の開放端とステージ上に載置された電子回路基板の表面との間に形成される微小間隙に存在する流体によって前記混合ガス室の内部を前記混合ガス室の外部とシールさせた状態で、前記混合ガス室の内部にキャリアガスにCVD材料ガスを混合させた混合ガスを供給し、レーザ光を前記混合ガス室の透過部分を通して前記混合ガス室の開放端に存在する電子回路基板の表面の所望の箇所に集光して照射して前記供給された混合ガスに含まれるCVD材料ガスのCVD反応により金属膜を析出させることを特徴とする電子回路基板の金属膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

H01L 21/88 A ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/268 A ,  H01L 21/285 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-278044
  
• 特開平2-156086
  
• 特開平3-248430
  
• IC素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-067874   出願人：株式会社日立製作所