マスクROM及び製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-271627
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116030
出願日： 1995年10月19日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】プログラム用のイオン注入時に、メモリトランジスタのS/D領域にダメージが導入され、ジャンクションリークが増大するのを防止する。【解決手段】本マスクROM20では、S/D領域36にコンタクト孔42aを介して接続させる金属配線層40が、S/D領域36側から、チャネル領域端と略同一あるいはチャネル領域内側に、それぞれ張り出して形成されている。このように形成したX型のメモリセルでは、特にパターンズレに強い。また、プログラム用イオン注入では、図示のように、マスクパターン54の開口部内に張り出す金属配線層40の一部をS/D領域36の保護マスクとして使用し、不純物導入領域38を形成する。その他、金属配線層40のパターンによる段差に沿ってTEOS絶縁膜を成膜した後にマスクパターン54を形成し、その開口部内に表れる段差を利用して、不純物導入を該開口部内で選択的に行ってもよい。

請求項（抜粋）：

メモリセルを構成するトランジスタのソース又はドレイン領域にコンタクト孔を介して接続させる金属配線層を、トランジスタのチャネル方向両側に備えるとともに、前記トランジスタのうち、特定のトランジスタのチャネル領域にプログラム用の不純物導入領域を有してなるイオン注入プログラム方式のマスクROMにおいて、前記金属配線層が、プログラム用のイオン注入から前記ソース又はドレイン領域を保護するための保護マスクとして、ソース又はドレイン領域側から、チャネル領域端と略同一あるいはチャネル領域内側に、それぞれ張り出して形成されていることを特徴とするマスクROM。

IPC (4件)：

H01L 21/8246 , H01L 27/112 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 27/10 433 , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 301 Y

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平1-128564
マスクROMの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-321307 出願人：ソニー株式会社
特開平2-181468

審査官引用 (3件)

特開平1-128564
マスクROMの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-321307 出願人：ソニー株式会社
特開平2-181468

前のページに戻る