多値信号伝送方法および多値信号伝送システム並びに半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大日方富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-318057
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154859
出願日： 1997年11月19日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】信号を送信する側の出力バッファ回路が複数の電源電圧を必要とせず一つの電源電圧で動作して多値レベルの信号を送信可能なデータ伝送技術を提供する。【解決手段】異なるオン抵抗を有し第1電源電圧端子VDDと出力端子OUT間に並列接続された複数(2のn乗)のPチャネルMOSFETQ1,Q2と、異なるオン抵抗を有し出力端子と第2電源電圧端子VSS間に並列接続された複数のNチャネルMOSFETQ3,Q4と、内部回路より複数ビットのデータ信号を受けてMOSFETを選択的にオン状態にする出力制御回路12とで送信側の出力バッファ回路10を構成し、出力端子と受信側の入力端子INとの間に接続される伝送線路300の受信側端部に伝送線路とほぼ同一のインピーダンスを有する終端抵抗Reの一端を接続し、終端抵抗の他端を第1電源電圧および第2電源電圧の中間レベルとされた外部電源電圧端子VTTに接続する。

請求項（抜粋）：

互いに異なるオン抵抗を有し第1電源電圧端子と出力端子との間に並列形態に接続された2のn乗個の第1導電型電界効果トランジスタと、互いに異なるオン抵抗を有し出力端子と第2電源電圧端子との間に並列形態に接続された2のn乗個の第2導電型電界効果トランジスタと、内部回路よりnビットのデータ信号を受けて上記MOSFETを選択的にオン状態にする信号を形成する出力制御回路とにより構成された出力回路を送信側の半導体集積回路に設けるとともに、上記出力端子と受信側の半導体集積回路の入力端子との間に接続される伝送線路の受信側端部に当該伝送線路とほぼ同一のインピーダンスを有する終端抵抗の一端を接続し、この終端抵抗の他端を上記第1電源電圧および第2電源電圧の中間レベルとされた外部電源電圧端子に接続して上記送信側の半導体集積回路の出力回路より多値レベルの信号を形成して送信するようにしたことを特徴とする多値信号伝送方法。

IPC (4件)：

H03K 19/20 101 , H03K 19/0175 , H04L 25/02 , H04L 25/49

FI (4件)：

H03K 19/20 101 , H04L 25/02 F , H04L 25/49 L , H03K 19/00 101 Q

引用特許：

審査官引用 (7件)

ディジタル回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-308082 出願人：ヤマハ株式会社
2値4値変換回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-030979 出願人：日本電気エンジニアリング株式会社
特開平2-124634

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