特許

J-GLOBAL ID：200903061656637395

半導体装置の製造方法

発明者： 牧田 直樹 ,  船井 尚 ,  山元 良高
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-319904
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176479
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 素子のサイズに関係なく、基板全面にわたって高性能で安定した特性の半導体素子を実現するための半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 非晶質シリコン膜にその結晶化を助長する金属元素を導入する工程と、結晶成長のための加熱処理工程以前に非晶質シリコン膜の島状化を行う工程と、非晶質シリコン膜の島状化した後に結晶成長のための加熱処理を施すことにより、その島状非晶質シリコン膜内でのみ金属元素が効率的に拡散し、結晶成長方向が完全に一方向にそろった結晶粒界のない高品質な結晶性シリコン膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に実質的な非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜を島状に分断する工程と、その後、結晶化を助長する金属元素を前記島状非晶質シリコン膜の一部に選択的に導入する工程と、加熱によって前記島状非晶質シリコン膜を前記金属元素が選択的に導入された領域の周辺部において、基板表面に対し概略平行な方向に結晶成長を行わせる工程とを少なくとも有し、前記工程において結晶化した結晶性シリコン膜を素子形成領域とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-140915
  
• 半導体およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162704   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所