特許

J-GLOBAL ID：200903061661006417

X線反射型マスクの製造方法

発明者： 和佐 若菜 ,  村上 勝彦 ,  清水 澄人
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-171982
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022862
出願日： 1995年07月07日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 正確な反射パターンを有するX線反射型マスクを効率良く得ることができるX線反射型マスクの製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上にX線反射多層膜2を形成し、さらに該多層膜2上に所定パターンを有するX線吸収層3aを形成して、仮のX線反射型マスクを作製する。X線吸収層3aの欠損部分及び不要部分を見出し、欠損部分のみが露出するように、仮のX線反射型マスクの表面にレジストパターン4aを形成して、電解メッキ法または無電解メッキ法により前記欠損部分にX線吸収層3aを形成する。不要部分のみが露出するように、仮のX線反射型マスクの表面にレジストパターンを4b形成して、電解研磨法により不要部分のX線吸収層3bを除去する。

請求項（抜粋）：

少なくとも、基板上にX線反射多層膜を形成し、さらに該多層膜上に所定パターンを有するX線吸収層を形成して、仮のX線反射型マスクを作製する工程と、前記X線吸収層の欠損部分を見出す工程と、前記欠損部分のみが露出するように、前記仮のX線反射型マスクの表面にレジストパターンを形成する工程と、電解メッキ法または無電解メッキ法により前記欠損部分にX線吸収層を形成する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、を備えたX線反射型マスクの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G21K 1/06

FI (3件)：

H01L 21/30 531 M ,  G03F 1/16 A ,  G21K 1/06 D

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 光学素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-196311   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭61-013621
  
• 特開昭61-245161
  
• 特開昭63-210845
  

審査官引用 (1件)

• 光学素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-196311   出願人：株式会社日立製作所