半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107527
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304147
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に多層配線構造を有する半導体装置におけるCVD膜形成方法に関し、吸水性の小さなCVD膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】CVD法を用いて半導体基板上にシリコン化合物からなる薄膜を形成する工程と、形成された薄膜を酸化する酸化工程と、酸化された薄膜を重縮合する重縮合工程とを有するように構成する。

請求項（抜粋）：

CVD法を用いて半導体基板上にシリコン化合物からなる薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜を酸化する酸化工程と、酸化された前記薄膜を重縮合する重縮合工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/205 , H01L 21/316 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平3-201435
特開平3-041731
特開平1-181533

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