特許
J-GLOBAL ID：200903061698426394

半導体発光装置及び製造方法

発明者：
原田 光範

原田 光範 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


代理人 (1件)： 秋元 輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-106643
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294484
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】本発明は、色ムラ及び輝度バラツキが少なく、人間に対して有害となる可能性のある光を極力放出しない光源となるような半導体発光装置及び製造方法を提供する。【解決手段】反射面2が形成された傾斜面を有する第一のキャビティ22の上方に略垂直な内周面を有する第二のキャビティ24を設けた。そして、底部に半導体発光素子4を搭載した第一のキャビティ22内及び第二のキャビティ24内に透光性樹脂に蛍光体を分散した蛍光体分散樹脂6を第二のキャビティ24の上面に対して凸形状に盛り上げて充填し、そのまま反転して蛍光体分散樹脂6を加熱硬化させるときに、透光性樹脂より比重が大きい蛍光体5が沈降して蛍光体分散樹脂6の表面付近に高密度蛍光体層8が形成される。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
ケースに設けられた開口部を有する凹形状のキャビティの底部に少なくとも1つの半導体発光素子が搭載され、前記キャビティ内に該キャビティの表面に対して前記半導体発光素子の略放射方向に凸形状に盛り上げて充填された樹脂の表面付近全面に亘って高密度の波長変換部材の層が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (10件)：
5F041AA06 ,  5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041DA36 ,  5F041DA57 ,  5F041DA78 ,  5F041EE17 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)

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