特許
J-GLOBAL ID：200903061710705466

不揮発性半導体メモリ

発明者：
榊原 清彦

榊原 清彦 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-330773
公開番号（公開出願番号）：特開2003-132689
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 CHE書き込み効率を維持しながら、チャネル電流の抑制が可能な不揮発性半導体メモリを得る。【解決手段】 直交するワード線WLとビット線BLの交点にメモリセルを配置し、特定のワード線とビット線を選択することにより単一のメモリセルを選択し、情報の書き込み、読み出しを行う不揮発性半導体メモリにおいて、メモリセルの共通ソース線CSLと接地電位端子2の間に設けられた抵抗素子1を備え、メモリセルのドレインへ印加されるパルスの立ち上げタイミングを、メモリセルのゲートへ印加されるパルスの立ち上げタイミングより早くする。
請求項（抜粋）：
直交するワード線とビット線の交点にメモリセルを配置し、特定のワード線とビット線を選択することにより単一のメモリセルを選択し、情報の書き込み、読み出しを行う不揮発性半導体メモリにおいて、上記メモリセルの共通ソース線と接地電位端子の間に設けられた抵抗素子を備え、上記メモリセルのドレインへ印加されるパルスの立ち上げタイミングを、上記メモリセルのゲートへ印加されるパルスの立ち上げタイミングより早くしたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/06
FI (2件)：
G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 635
Fターム (9件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD00 ,  5B025AD04 ,  5B025AD15 ,  5B025AE00 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08
引用特許：
審査官引用 (5件)
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