特許
J-GLOBAL ID：200903061715729762
半導体発光装置および半導体レ-ザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
釜田 淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-127378
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323798
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 広い温度範囲および広い出力範囲にわたって波長が安定している半導体発光装置を提供すること。【解決手段】 GaAs基板上に構成元素としてIn、GaおよびAsを含む活性層構造を有する半導体レーザ、および該半導体レーザの光の出射方向に外部共振器を有する半導体発光装置であって、前記活性層構造が光ガイドまたはバリアとして機能する層および活性層を有しており、かつ前記活性層構造の少なくとも一部がn型の不純物を含むことを特徴とする半導体発光装置。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に構成元素としてIn、GaおよびAsを含む活性層構造を有する半導体レーザ、および該半導体レーザの光の出射方向に外部共振器を有する半導体発光装置であって、前記活性層構造が光ガイドまたはバリアとして機能する層および活性層を有しており、かつ前記活性層構造の少なくとも一部がn型の不純物を含むことを特徴とする半導体発光装置。
Fターム (10件)：
5F073AA20
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073BA09
, 5F073CA07
, 5F073EA03
, 5F073EA29
