特許
J-GLOBAL ID：200903086466385473

半導体レーザ

発明者：
早川 利郎

早川 利郎 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-259739
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097793
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 基板等が発振波長に対して透明となる半導体レーザにおいて、素子の電極面界面における光の多重共振器効果を抑制して安定な単一の発振スペクトルを得る。【解決手段】 基板1の、電極14と接触する下面1a に光導波方向Zに5μm周期の凹凸となるように、深さ0.5μmの溝12を縞状に設ける。この溝12は光導波路となるリッジストライプと垂直に交わる方向に延びるものとし、半導体レーザの発振部に対応する位置に形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に第一クラッド層を含む第一半導体層、活性層、第二クラッド層を含む第二半導体層がこの順に積層されてなり、前記基板もしくは前記第一半導体層に第一電極が形成され、前記第二半導体層の上面に第二電極が形成されてなる端面発光型の半導体レーザであって、前記第二半導体層が、発振波長の光に対して透明であり、前記第二半導体層の上面の、発振部に対応する領域に凹凸形状が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
審査官引用 (5件)
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