半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-285122
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193152
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】メモリセルサイズを小さく保ちながら、残留分極を上げて誘電率を高く保つ。【構成】トランジスタ部の内部配線上の誘電体膜を一旦アモルファスまたは多結晶構造に形成した後、指向性の高いNe原子流を誘電体膜に照射し、ブラベーの法則にて各入射方向に垂直に最稠密面が配向するように単結晶化する。【効果】単結晶化されることで誘電体膜の誘電率が上がる。

請求項（抜粋）：

揮発または不揮発な記憶が可能なメモリ半導体装置であって、半導体基板と、該半導体基板の表面に形成され上面部に内部配線を有するトランジスタ部と、該トランジスタ部の内部配線の上面に形成された誘電体膜と、該誘電体膜の上面に形成された上部電極とを備え、前記誘電体膜は単結晶膜で構成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-183570
特開平2-238672
強誘電体不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-301680 出願人：ローム株式会社

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