半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：奥田誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-170421
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353702
出願日： 2004年06月08日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】1つの半導体レーザ装置を用いて光ディスクに対するデータの再生および記録の各々に適したレーザ光を出力させる。【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、基板11と、基板11に支持される化合物半導体の積層構造10とを備えている。積層構造10は、第1導電型の第1のクラッド層と、第2導電型の第2のクラッド層と、第1および第2のクラッド層に挟まれた活性層15とを有している。また、活性層15の第1の領域15aに電流を狭窄する第1のストライプ状電流狭窄部と、活性層の第2の領域15bに電流を狭窄する第2のストライプ状電流狭窄部と、第1および第2のストライプ状電流狭窄部の少なくとも一方を介して、活性層15の第1の領域15aおよび第2の領域15bの少なくとも一方に電流を供給し、それによって第1の領域15aおよび第2の領域15bの少なくとも一方からレーザ光を放射させる電極構造とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板に支持される化合物半導体の積層構造とを備えた半導体レーザであって、前記積層構造は、第1導電型の第1のクラッド層と、第2導電型の第2のクラッド層と、前記第1および第2のクラッド層に挟まれた活性層とを有しており、更に、前記活性層の第1の領域に電流を狭窄する第1のストライプ状電流狭窄部と、前記活性層の第2の領域に電流を狭窄する第2のストライプ状電流狭窄部と、前記第1および第2のストライプ状電流狭窄部の少なくとも一方を介して、前記活性層の第1の領域および第2の領域の少なくとも一方に電流を供給し、それによって前記第1の領域および前記第2の領域の少なくとも一方からレーザ光を放射させる電極構造と、を備えている半導体レーザ装置。

IPC (1件)：

H01S5/22

FI (1件)：

H01S5/22 610

Fターム (12件)：

5F173AD05 , 5F173AF32 , 5F173AG12 , 5F173AH22 , 5F173AH47 , 5F173AK08 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AP45 , 5F173AP82 , 5F173AR13 , 5F173AR96

引用特許：

出願人引用 (4件)

特許第2877063号明細書
特許第2645871号明細書
半導体レーザおよびその操作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-259656 出願人：工業技術院長

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